IRF7233

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO

Все аналоги

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток12 V

Постоянный ток стока9.5 A

Сопротивление в открытом состоянии20 mΩМакс. · 9.5A

Пороговое напряжение600 mVМакс. · 250μA (Min)

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Другое
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 10 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)

К этому компоненту пока не привязаны документы.