Поиск аналогов электронных компонентов
IRFB4137PBF
Infineon TechnologiesГермания

IRFB4137PBF

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220Pak

MOSFET N-CH 300V 38A TO220

Infineon IRFB4137PBF — это N-канальный силовой MOSFET HEXFET на 300В в корпусе TO-220Pak, с непрерывным током стока 38А, типовым сопротивлением канала 56мОм, температурным диапазоном -55…+175°C, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток300 V
Постоянный ток стока38 ATC = 25°C,VGS = 10V
Сопротивление в открытом состоянии56 mΩТип.
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-Channel
Напряжение сток-исток300V
Непрерывный ток стока38A @ TC = 25°C, VGS = 10V
Сопротивление канала56mΩ typ. max
КорпусTO-220Pak
Рабочая температура перехода-55 to +175 °C
Уровень квалификацииIndustrial (per JEDEC JESD47F)
Соответствие RoHSYes
Импульсный ток стока152A
Максимальная рассеиваемая мощность341W @ TC = 25°C
Напряжение затвор-исток±20V
Тепловое сопротивление переход-корпус0.44 °C/W Max
Тепловое сопротивление переход-среда62 °C/W Max
Энергия одиночного импульса лавинного пробоя414mJ
Прямая передаточная проводимость45S @ VDS = 50V, ID = 24A
Полный заряд затвора83nC Typ, 125nC Max @ ID = 24A, VDS = 150V, VGS = 10V
Входная ёмкость5168pF Typ @ VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1.0MHz
Выходная ёмкость300pF Typ @ VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1.0MHz
Прямое напряжение диода1.3V Max @ TJ = 25°C, IS = 24A, VGS = 0V
Время обратного восстановления302ns Typ @ TJ = 25°C, VDD = 255V, IF = 24A
Заряд обратного восстановления1739nC Typ @ TJ = 25°C, di/dt = 100A/μs
Температура пайки300°C for 10 seconds (1.6mm from case)
Все параметры (21)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)341W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
Другое
Base Product NumberIRFB4137
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5168 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 24A, 10V
SeriesHEXFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Распиновка и корпус

КорпусTO-220Pak

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Затвор
2Сток
3Исток

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.