MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока1.3 A
Сопротивление в открытом состоянии270 mΩМакс. · 780mA
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mfr | Harris Corporation |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |