Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока21 ~ 40 A
Сопротивление в открытом состоянии3.8 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение2.35 VМакс. · 50μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| Другое | |
| Base Product Number | IRFHM830 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.