Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока195 A
Сопротивление в открытом состоянии2.6 mΩМакс. · 180A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Другое | |
| Base Product Number | IRFP4468 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19860 pF @ 50 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.