Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток55 V
Постоянный ток стока42 A
Сопротивление в открытом состоянии11 mΩМакс. · 37A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 50μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 91W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Другое | |
| Base Product Number | IRFR48 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1720 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 37A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |