Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока18 A
Сопротивление в открытом состоянии105 mΩМакс. · 11A
Пороговое напряжение4.9 VМакс. · 100μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 50 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 11A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.