Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока8.2 A
Сопротивление в открытом состоянии19 mΩМакс. · 8.2A
Пороговое напряжение2.35 VМакс. · 25μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Другое | |
| Base Product Number | IRFTS8342 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8.2A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |