IRL100HS121

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток100 V

Постоянный ток стока11 A

Сопротивление в открытом состоянии42 mΩМакс. · 6.7A

Пороговое напряжение2.3 VМакс. · 10μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)	11.5W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case	6-PowerVDFN
Supplier Device Package	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Другое
Base Product Number	IRL100
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 50 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 6.7A, 10V
Series	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 10µA