Поиск аналогов электронных компонентов
IRLB4030PBF
Infineon TechnologiesГермания

IRLB4030PBF

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

Infineon IRLB4030PBF — это N-канальный логический MOSFET на 100В в корпусе TO-220, с непрерывным током стока 180А, типовым сопротивлением канала 3,4мОм и диапазоном рабочих температур от -55 до +175°C, предназначен для высокоэффективной синхронной выпрямления и высокоскоростного силового переключ.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока180 ATC=25°C,VGS=10V
Сопротивление в открытом состоянии4.3 mΩМакс.
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 20
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-Channel
Напряжение пробоя сток-исток100V
Непрерывный ток стока180A @ TC=25°C, VGS=10V
Сопротивление каналаTyp. 3.4mΩ, Max. 4.3mΩ
КорпусTO-220
Рабочая температура перехода-55 to +175 °C
RoHSLead Free
Максимальная рассеиваемая мощность370W @ TC=25°C
Импульсный ток стока730A
Напряжение затвор-исток±16V
Тепловое сопротивление переход-корпусMax. 0.40 °C/W
Тепловое сопротивление переход-средаMax. 62 °C/W
Энергия одиночного импульса лавинного пробоя305mJ
Прямая передаточная проводимость320S @ VDS=25V, ID=110A
Полный заряд затвораTyp. 87nC, Max. 130nC @ ID=110A, VDS=50V, VGS=4.5V
Входная емкость11360pF @ VGS=0V, VDS=50V, f=1.0MHz
Выходная емкость670pF @ VGS=0V, VDS=50V, f=1.0MHz
Прямое напряжение диодаMax. 1.3V @ TJ=25°C, IS=110A, VGS=0V
Время обратного восстановленияTyp. 50ns @ TJ=25°C, VDD=85V, IF=110A, di/dt=100A/µs
Непрерывный ток истока (встроенный диод)Max. 180A
Все параметры (21)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)370W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220AB
Другое
Base Product NumberIRLB4030
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11360 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 110A, 10V
SeriesHEXFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Распиновка и корпус

КорпусTO-220

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Затвор
2Сток
3Исток

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.