Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток55 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии140 mΩМакс. · 6A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 6A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |