Поиск аналогов электронных компонентов
Infineon TechnologiesГермания

ISC022N10NM6ATMA1

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

TRENCH >=100V PG-TSON-8

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока25 ~ 230 A
Сопротивление в открытом состоянии2.24 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение3.3 VМакс. · 147μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta), 230A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Power Dissipation (Max)3W (Ta), 254W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePG-TSON-8-3
Другое
Base Product NumberISC022N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6880 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.24mOhm @ 50A, 10V
SeriesOptiMOS™ 6
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 147µA

Документы