ISP14EP15LMXTSA1

在产单 FET,MOSFETPG-SOT223-4

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

查看国产替代问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压150 V
连续漏极电流770 mA ~ 1.29 A
导通电阻1.38 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压150 V
连续漏极电流770 mA ~ 1.29 A
导通电阻1.38 Ω最大 · 800mA
阈值电压2 V最大 · 270μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.8W (Ta), 5W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackagePG-SOT223-4
其他
Base Product NumberISP14E
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530 pF @ 75 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.38Ohm @ 800mA, 10V
SeriesOptiMOS™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 270µA

技术资料

该型号暂未收录资料。