ISZ0702NLSATMA1

ISZ0702NLSATMA1

在产单 FET,MOSFET

MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流17 ~ 86 A
导通电阻4.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流17 ~ 86 A
导通电阻4.5 mΩ最大 · 20A
阈值电压2.3 V最大 · 26μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 86A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 65W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePG-TSDSON-8-25
其他
Base Product NumberISZ0702N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 30 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 20A, 10V
SeriesOptiMOS™ 5
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 26µA

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