IXFA130N10T
IXYS美国

IXFA130N10T

在产单 FET,MOSFETTO-263AA

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流130 A
导通电阻9.1 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流130 A
导通电阻9.1 mΩ最大 · 25A
阈值电压4.5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)360W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263AA (IXFA)
其他
Base Product NumberIXFA130
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5080 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 25A, 10V
SeriesHiPerFET™, Trench
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

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