IXFH18N100Q3
IXYS美国

IXFH18N100Q3

在产单 FET,MOSFETTO-247AD

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流18 A
导通电阻660 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流18 A
导通电阻660 mΩ最大 · 9A
阈值电压6.5 V最大 · 4mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)830W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AD (IXFH)
其他
Base Product NumberIXFH18
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4890 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs660mOhm @ 9A, 10V
SeriesHiPerFET™, Q3 Class
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 4mA

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