IXYS美国

IXFK170N20P

在产单 FET,MOSFETTO-264AA

MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA

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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流170 A
导通电阻14 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流170 A
导通电阻14 mΩ最大 · 500mA
阈值电压5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)1250W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Supplier Device PackageTO-264AA (IXFK)
其他
Base Product NumberIXFK170
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11400 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

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