Поиск аналогов электронных компонентов
IXFN100N25
IXYSСША

IXFN100N25

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsSOT-227B

MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток250 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии27 mΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение4 VМакс. · 8mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)600W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
Другое
Base Product NumberIXFN100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9100 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA

Изображения

Документы