IXFN170N25X3
IXYS美国

IXFN170N25X3

在产单 FET,MOSFETSOT-227B

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流170 A
导通电阻7.4 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流170 A
导通电阻7.4 mΩ最大 · 85A
阈值电压4.5 V最大 · 4mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)390W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
其他
Base Product NumberIXFN170
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13500 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 85A, 10V
SeriesHiPerFET™, Ultra X3
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。