IXYSСША
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока180 A
Сопротивление в открытом состоянии10 mΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение4 VМакс. · 8mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Другое | |
| Base Product Number | IXFN180 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 660 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22000 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 500mA, 10V |
| Series | HiPerFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |