Поиск аналогов электронных компонентов
IXFN32N120
IXYSСША

IXFN32N120

Not For New DesignsSingle FETs, MOSFETsSOT-227B

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.2 kV
Постоянный ток стока32 A
Сопротивление в открытом состоянии350 mΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение5 VМакс. · 8mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
PackageBox
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
Другое
Base Product NumberIXFN32
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15900 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Изображения

Документы