IXFN34N80
IXYS美国

IXFN34N80

不推荐用于新设计单 FET,MOSFETSOT-227B

MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

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沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流34 A
导通电阻240 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流34 A
导通电阻240 mΩ最大 · 500mA
阈值电压5 V最大 · 8mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)600W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
其他
Base Product NumberIXFN34
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

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技术资料

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