Поиск аналогов электронных компонентов
IXFN360N10T
IXYSСША

IXFN360N10T

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-227B

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока360 A
Сопротивление в открытом состоянии2.6 mΩМакс. · 180A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)830W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
Другое
Base Product NumberIXFN360
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36000 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 180A, 10V
SeriesHiPerFET™, Trench
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Изображения

Документы