Поиск аналогов электронных компонентов
IXFN38N100P
IXYSСША

IXFN38N100P

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-227B

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1 kV
Постоянный ток стока38 A
Сопротивление в открытом состоянии210 mΩМакс. · 19A
Пороговое напряжение6.5 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)1000W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
Другое
Base Product NumberIXFN38
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24000 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 19A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Изображения

Документы