Поиск аналогов электронных компонентов
IXFN38N80Q2
IXYSСША

IXFN38N80Q2

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsSOT-227B

MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока38 A
Сопротивление в открытом состоянии220 mΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 8mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)735W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
Другое
Base Product NumberIXFN38
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8340 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™, Q2 Class
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA

Изображения

Документы