IXFQ24N50P2
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IXFQ24N50P2

末批订购单 FET,MOSFETTO-3P

MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流24 A
导通电阻270 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流24 A
导通电阻270 mΩ最大 · 500mA
阈值电压4.5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)480W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P
其他
Base Product NumberIXFQ24
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2890 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusLast Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™, PolarP2™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

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