Поиск аналогов электронных компонентов
IXYSСША

IXFR200N10P

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-247-3

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока133 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 100A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 8mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C133A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageISOPLUS247™
Другое
Base Product NumberIXFR200
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 100A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Документы