IXYS美国

IXFT14N80P

在产单 FET,MOSFETTO-268AA

MOSFET N-CH 800V 14A TO268

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沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流14 A
导通电阻720 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压800 V
连续漏极电流14 A
导通电阻720 mΩ最大 · 500mA
阈值电压5.5 V最大 · 4mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)400W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device PackageTO-268AA
其他
Base Product NumberIXFT14
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 4mA

技术资料

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