IXFX200N10P
IXYS美国

IXFX200N10P

在产单 FET,MOSFETTO-247-3 Variant

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流200 A
导通电阻7.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流200 A
导通电阻7.5 mΩ最大 · 100A
阈值电压5 V最大 · 8mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)830W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Supplier Device PackagePLUS247™-3
其他
Base Product NumberIXFX200
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 100A, 10V
SeriesHiPerFET™, Polar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

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技术资料

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