IXYSСША

IXFX21N100Q

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-247-3 Variant

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток1 kV

Постоянный ток стока21 A

Сопротивление в открытом состоянии500 mΩМакс. · 10.5A

Пороговое напряжение5.5 VМакс. · 4mA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	500W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3 Variant
Supplier Device Package	PLUS247™-3
Другое
Base Product Number	IXFX21
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 25 V
Mfr	IXYS
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 10.5A, 10V
Series	HiPerFET™, Q Class
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA

К этому компоненту пока не привязаны документы.