IXYSСША

IXFX26N100P

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-247-3 Variant

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток1 kV

Постоянный ток стока26 A

Сопротивление в открытом состоянии390 mΩМакс. · 13A

Пороговое напряжение6.5 VМакс. · 1mA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	780W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3 Variant
Supplier Device Package	PLUS247™-3
Другое
Base Product Number	IXFX26
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11900 pF @ 25 V
Mfr	IXYS
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 13A, 10V
Series	HiPerFET™, Polar
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA

К этому компоненту пока не привязаны документы.