IXKN40N60C
IXYS美国

IXKN40N60C

在产单 FET,MOSFETSOT-227B

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流40 A
导通电阻70 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流40 A
导通电阻70 mΩ最大 · 500mA
阈值电压3.9 V最大 · 2.5mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)290W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeChassis Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device PackageSOT-227B
其他
Base Product NumberIXKN40
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 500mA, 10V
SeriesCoolMOS™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2.5mA

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