IXKP10N60C5M
IXYS美国

IXKP10N60C5M

停产单 FET,MOSFETTO-220ABFP

MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流5.4 A
导通电阻385 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流5.4 A
导通电阻385 mΩ最大 · 5.2A
阈值电压3.5 V最大 · 340μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220ABFP
其他
Base Product NumberIXKP10
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 100 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 5.2A, 10V
SeriesCoolMOS™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 340µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。