IXYSСША
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1 kV
Постоянный ток стока800 mA
Сопротивление в открытом состоянии21 ΩМакс. · 400mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Другое | |
| Base Product Number | IXTA08 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V |
| Series | Depletion |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.