IXTA26P10T
IXYS美国

IXTA26P10T

在产单 FET,MOSFETTO-263AA

MOSFET P-CH 100V 26A TO263

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流26 A
导通电阻90 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流26 A
导通电阻90 mΩ最大 · 13A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263AA
其他
Base Product NumberIXTA26
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3820 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 13A, 10V
SeriesTrenchP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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