IXTH48N15
IXYS美国

IXTH48N15

在产单 FET,MOSFETTO-247

MOSFET N-CH 150V 48A TO247

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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流48 A
导通电阻32 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流48 A
导通电阻32 mΩ最大 · 500mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)180W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH48
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 500mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id-

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