Поиск аналогов электронных компонентов
IXTH52P10P
IXYSСША

IXTH52P10P

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-247

MOSFET P-CH 100V 52A TO247

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока52 A
Сопротивление в открытом состоянии50 mΩМакс. · 52A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
Другое
Base Product NumberIXTH52
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2845 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 52A, 10V
SeriesPolarP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Изображения

Документы