IXTH5N100A
IXYS美国

IXTH5N100A

停产单 FET,MOSFETTO-247

MOSFET N-CH 1000V 5A TO247

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沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流5 A
导通电阻2 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流5 A
导通电阻2 Ω最大 · 2.5A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)180W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH5
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 2.5A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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技术资料

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