IXTH60N20L2
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IXTH60N20L2

在产单 FET,MOSFETTO-247

MOSFET N-CH 200V 60A TO247

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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流60 A
导通电阻45 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流60 A
导通电阻45 mΩ最大 · 30A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)540W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10500 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 30A, 10V
SeriesLinear L2™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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