IXTH76P10T
IXYS美国

IXTH76P10T

在产单 FET,MOSFETTO-247

MOSFET P-CH 100V 76A TO247

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流76 A
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流76 A
导通电阻25 mΩ最大 · 38A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)298W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 (IXTH)
其他
Base Product NumberIXTH76
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 38A, 10V
SeriesTrenchP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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