IXTP56N15T
IXYS美国

IXTP56N15T

在产单 FET,MOSFETTO-220-3

MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB

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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流56 A
导通电阻36 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流56 A
导通电阻36 mΩ最大 · 28A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberIXTP56
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 28A, 10V
SeriesTrench
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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