IXTQ102N15T
IXYS美国

IXTQ102N15T

停产单 FET,MOSFETTO-3P

MOSFET N-CH 150V 102A TO3P

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流102 A
导通电阻18 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流102 A
导通电阻18 mΩ最大 · 500mA
阈值电压5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C102A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)455W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P
其他
Base Product NumberIXTQ102
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5220 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 500mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

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