IXYSСША
MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока200 A
Сопротивление в открытом состоянии5 mΩМакс. · 400A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 714W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Другое | |
| Base Product Number | IXTQ200 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 400A, 15V |
| Series | Polar |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |