IXTQ52N30P
IXYS美国

IXTQ52N30P

在产单 FET,MOSFETTO-3P

MOSFET N-CH 300V 52A TO3P

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沟道N 沟道
耐压300 V
连续漏极电流52 A
导通电阻66 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压300 V
连续漏极电流52 A
导通电阻66 mΩ最大 · 26A
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)400W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P
其他
Base Product NumberIXTQ52
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3490 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 26A, 10V
SeriesPolar
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

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