Поиск аналогов электронных компонентов
IXYSСША

IXTV02N250S

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток2.5 kV
Постоянный ток стока200 mA
Сопротивление в открытом состоянии450 ΩМакс. · 50mA
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)83W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CasePLUS-220SMD
Supplier Device PackagePLUS-220SMD
Другое
Base Product NumberIXTV02
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds116 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs450Ohm @ 50mA, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Документы