IXTX170P10P
IXYS美国

IXTX170P10P

在产单 FET,MOSFETTO-247-3 Variant

MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流170 A
导通电阻12 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流170 A
导通电阻12 mΩ最大 · 500mA
阈值电压4 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)890W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Supplier Device PackagePLUS247™-3
其他
Base Product NumberIXTX170
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12600 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 500mA, 10V
SeriesPolarP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

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