Поиск аналогов электронных компонентов
IXTX32P60P
IXYSСША

IXTX32P60P

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-247-3 Variant

MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока32 A
Сопротивление в открытом состоянии350 mΩМакс. · 16A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)890W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Supplier Device PackagePLUS247™-3
Другое
Base Product NumberIXTX32
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11100 pF @ 25 V
MfrIXYS
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 16A, 10V
SeriesPolarP™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Изображения

Документы