MJD50T4G
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MJD50T4G

在产单个双极晶体管TO-252-3

TRANS NPN 400V 1A DPAK

类型NPN
集射极耐压400 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE30

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技术参数

类型NPN
集射极耐压400 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE30300mA
功率1.56 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)200µA
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Power - Max1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition10MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
其他
Base Product NumberMJD50
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A

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技术资料