Поиск аналогов электронных компонентов
MJD6039T4
onsemiСША

MJD6039T4

Снят с производстваSingle Bipolar TransistorsTO-252-3

TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора4 AМакс.
Коэффициент усиления hFE5002A
Мощность1.75 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Current - Collector (Ic) (Max)4 A
Power - Max1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce500 @ 2A, 4V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberMJD60
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 8mA, 2A

Изображения

Документы