onsemiСША
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока7 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 5.3A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Другое | |
| Base Product Number | MMSF7P |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75.8 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 24 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.3A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.